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Axiom 8 Go DDR4-2400 SODIMM pour HP - Z9H56AA Z9H56AA-AX

Axiom 8 Go DDR4-2400 SODIMM pour HP - Z9H56AA Z9H56AA-AX

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Les modules DDR4 d'Axiom utilisent la dernière conception DRAM évolutive, offrant une vitesse, une gestion de l'alimentation et une fiabilité améliorées. La sortie de la DDR4 offre une amélioration globale des performances jusqu'à 30 % pour les configurations à un seul module DIMM. Les performances de la DDR4 évoluent jusqu'à 65 % plus rapidement en 3 modules DIMM applications par canal (3DPC) sur DDR3.

Une bande passante élevée et des débits de données plus rapides, combinés à des exigences de tension plus faibles, offrent la mise à jour informatique DRAM la plus convaincante et la plus significative de la dernière décennie.

Caractéristiques de la DDR4 :

  • Augmentation de la vitesse de 100 % - Un débit de données plus rapide équivaut à des charges d'application plus réactives sur les programmes gourmands en données.
  • Augmentation de 300 % de la densité des composants - Équivaut à des modules plus grands pour les exigences de performances de nouvelle génération.
  • 20 % de réduction de la consommation d'énergie - Moins d'énergie consommée signifie moins de ressources gaspillées pour refroidir les systèmes et réserver le programme de batterie pour les appareils mobiles.
  • Offre une fiabilité, une disponibilité et une facilité d'entretien (RAS) accrues dans les applications d'entreprise - Intégrité complète et tolérance aux pannes pendant des périodes plus longues sans panne du système.
  • Signal de données amélioré.
    • La vitesse de mémoire de 2400 MHz avec une latence CL17 vous permet de naviguer sur le Web, d'écouter des chansons et d'utiliser simultanément des logiciels de routine
    • La barre SoDIMM 8 Go exécutera plusieurs applications ensemble et améliorera les performances de votre ordinateur
    • La mémoire SDRAM DDR4 à 260 broches fonctionne à une vitesse de bus efficace avec une consommation d'énergie minimale et, par conséquent, vous obtenez des performances informatiques optimales avec une dissipation thermique de la mémoire améliorée
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