Mémoire de bureau PNY Performance DDR4 3200 MHz MD16GSD43200-TB

OBTENEZ DE MEILLEURES PERFORMANCES DE VOTRE PC AVEC UNE MISE À NIVEAU DE MÉMOIRE PC DDR4 PNY

Vous souhaitez travailler avec les dernières applications gourmandes en mémoire, comme les outils de conception graphique et de montage vidéo ? Vous aimez garder de nombreuses fenêtres de navigateur ouvertes pour le travail, l'école ou les loisirs ? Votre PC a du mal à suivre ? Une mise à niveau de mémoire DDR4 3200 MHz de PNY vous offre la vitesse dont vous avez besoin pour tirer le meilleur parti de votre ordinateur portable Windows actuel.

La gamme de modules RAM DDR4 Performance de PNY est spécialement conçue pour les utilisateurs qui recherchent une fiabilité à toute épreuve et un excellent rapport qualité-prix. Depuis plus de 30 ans, PNY approvisionne, teste et fabrique rigoureusement des mises à niveau de mémoire pour des milliers de plateformes PC parmi les plus populaires. Peu importe ce que vous faites sur votre PC, vous le ferez mieux et plus rapidement avec une mise à niveau DDR4 3200 MHz de PNY.

Performances de la DDR4 3200 MHz

La mémoire PNY DDR4 offre des vitesses plus rapides, une plus grande bande passante, une consommation d'énergie plus faible et des performances thermiques améliorées pour une amélioration notable des temps de réponse du PC lors de l'utilisation d'applications gourmandes en mémoire.

Les modules de mémoire PNY DDR4 sont rigoureusement conçus et testés pour garantir des performances stables et fiables dans des environnements informatiques réels.

• La vitesse de mémoire de 3200 MHz avec latence CL22 gère habilement la variété des applications et des tâches de calcul
• Que vous jouiez à des jeux, utilisiez un système d'exploitation lourd ou un logiciel de montage vidéo, les 16 Go de mémoire les feront fonctionner en un éclair
• La DDR4-3200/PC4-25600 fonctionne à une vitesse de bus efficace avec une consommation d'énergie minimale et, par conséquent, vous obtenez des performances informatiques optimales avec une dissipation thermique de la mémoire améliorée